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CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固

  • 书名：CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固
  • 作者：刘必慰（著）
  • ISBN：978-7-5673-0411-6
  • 出版时间：2016年3月
  • 开本：32开
  • 印次：第1版第1次印刷
  • 定价：36.00元
  • 装帧：精装
  • 字数：188千
  • 责编：罗燕
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内容简介

《CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固》针对CMOS集成电路中主要的三种单粒子效应失效模式SEU、SET和MBU，分别从建模和加固两个方面进行了研究。包括RHBD和S0I工艺的加固方法、加固存储单元的多节点翻转的模拟分析、SET脉冲建模和SET错误率计算在内的多项内容。

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